Быстродействующий каскодный ключ с полевым управлением. Силовая электроника . В общем случае эти потери имеют следующие составляющие. Высоковольтный элемент обеспечивает блокирующие свойства ключа при минимальных токах утечки, а также минимальные остаточные падения напряжения при заданной плотности тока. Низковольтный элемент структуры «отвечает» за оптимальную динамику переключения при минимальных потерях в цепи управления. Кроме того, для снижения потерь на дополнительное управление необходимо, чтобы высоковольтный элемент представлял собой нормально- открытую структуру, обеспечивающую проводимость тока даже при нулевом потенциале на затворе. При этом при замыкании силового ключа выдаётся один короткий звуковой сигнал, при размыкании – два коротких звуковых сигнала. При поднесении карты к считывателю возможны следующие варианты: Карта есть в базе контроллера Matrix-II K - мигает зеленый. В данном варианте TSI определенно можно указать, что профиль типа 'М' соответствует скорее профессиям гуманитарного плана, а профиль типа 'У' — техническим и практическим склонностям. Совпадение с ключом – 2 балла. Аналогичное, но неполное значение слова – 1 балл. Тест структуры интеллекта (TSI) Амтхауэра Обзор. Для дальнейшего её использования Вам необходимо будет приобрести бумажный (электронный, аудио) вариант у правообладателей. Амтхауэр исходил из концепции, согласно которой интеллект. В геттингенском варианте TSI выделяются до 20 профилей, . При этом очевидно, что механизм управления подобной структурой по затвору в случае транзисторного варианта может быть только полевым. Что касается низковольтной составляющей, то при максимальных значениях ее блокирующей способности, не превышающих 1. В, наиболее близким к идеальному варианту является транзисторная ДМОП- структура с поликремниевым затвором. Совету старейшин нужно заранее разобраться с системой оценивания участников и «ключами» к заданиям, чтобы работать быстро. ПРАКТИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА. Воронин П.А., Воронин И.П. Устройство для снижения динамических потерь в ключе вых элементах трехфазного инвертора напряжения. Ключи к заданиям теста Амтхауэра. 1.г, 2.в, 3.д, 4.д, 5.в, 6.а, 7.г, 8.б, 9.д, 10.в, 11.б, 12.д, 13.в, 14.а, 15.г, 16.а, 17.в, 18.б, 19.д, 20.г. В свою очередь, переключение низковольтного транзистора должно приводить к эффективному накоплению и рассасыванию носителей в базовых областях основного силового элемента. Этот эффект приводит к значительному уменьшению эквивалентной крутизны униполярного транзистора, что снижает показатель качества ключа в целом . Существует несколько вариантов схемотехнических решений (рис. Во всех этих вариантах цепь затвора высоковольтного унитрона соединяется с общей шиной через дополнительный ключевой элемент пассивного (стабилитрон, диод) или активного (транзистор) механизма действия. Этот дополнительный элемент обеспечивает отключение цепи управления унитрона во включенном состоянии каскода и его замыкание на общую шину в переходном режиме выключения с последующим входом в состояние блокирования. Вариант со стабилитроном обладает существенным недостатком, связанным с его относительно высоким дифференциальным сопротивлением и низким быстродействием, что вызывает дополнительную динамическую перегрузку управляющего МДП- транзистора в переходном процессе выключения. Диодный вариант не обеспечивает эффективного перезаряда входной емкости унитрона и требует дополнительных цепей запуска в переходном процессе включения, перегружающих и без того уже достаточно сложную структуру ключа. Казалось бы, относительно идеальный вариант комплементарных транзисторов обладает тем существенным недостатком, что является совершенно незащищенным в режимах токовой перегрузки, поскольку не обеспечивает пути стекания накопленных носителей, что приводит к значительным всплескам перенапряжений на управляющем транзисторе и в дальнейшем фактически вызывает его выход из строя. Авторами статьи предложено оригинальное решение, основанное на применении в качестве дополнительного элемента n- канального МДП- транзистора, переключаемого потенциалом, наведенным в стоковой цепи аналогичного управляющего МДП- транзистора (рис. Это решение обеспечивает не только требуемый механизм переключения каскодной структуры, но и приводит к автоматическому включению дополнительного МДП- транзистора в случае токовой перегрузки в ключе. Проводилось исследование динамических характеристик предложенной структуры каскодного ключа при работе на индуктивную нагрузку в случае непрерывного тока. Результаты исследований представлены на осциллограммах рис. Основные динамические параметры и значения энергий потерь при переключении приведены в таблице 1. Результаты испытаний позволяют говорить о наличии так называемого эффекта «квазирегенерации» для двухтранзисторного аналога, обусловленного ускоренным перезарядом входной емкости высоковольтного унитрона за счет механизма переключения, свойственного рассматриваемой структуре, что приводит к существенному снижению потерь энергии на включение. МДП- транзистор без дополнительных цепей запуска, что существенно упрощает структуру ключа, оставляя в ней только полупроводниковые транзисторные элементы. Эффективность этого решения подтверждается исследованиями предложенной структуры. Соответствующие осциллограммы представлены на рис. Очевидный интерес представляет сравнительный анализ эффективности указанных функциональных аналогов, результаты исследования которых будут опубликованы в следующих номерах журнала. Силовые полупроводниковые ключи. Семейства, характеристики, применение. Полупроводниковое ключевое устройство с полевым управлением. Патент РФ на изобретение . Другие статьи по этой теме. Скачать статью в формате PDF.
0 Comments
Leave a Reply. |
AuthorWrite something about yourself. No need to be fancy, just an overview. Archives
December 2016
Categories |